童诗白《模拟电子技术基础》第5版教材复习试题-才聪学习网

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求模拟电子技术基础（第五版）学习辅导与习题解答

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一、童诗白《模拟电子技术基础》第5版教材复习试题-才聪学习网

考研真题精选

一、选择题

1以下说法正确的是（  ）。[中山大学2018研]

A．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体

B．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电

C．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的

D．若耗尽型N沟道MOS管的uGS大于零，则其输入电阻会明显变小

【答案】A查看答案

【解析】B项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，而非多子；D项，若耗尽型N沟道MOS管的uGS大于零，其输入电阻并不会有明显变化。

2当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（  ）。[中山大学2018研]

A．增大

B．不变

C．变小

【答案】A查看答案

【解析】低频跨导gm为ΔID与ΔuGS之比，当漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，显然gm增大。

3PN结加正向电压，空间电荷区将（  ）。[中山大学2017研]

A．变窄

B．基本不变

C．变宽

【答案】A查看答案

【解析】PN结外加正向电压，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，中和了其中部分负、正离子，结果使得PN结变窄。

4二极管的电流方程为（  ）。[中山大学2017研]

A．IseU

B．

C．

【答案】C查看答案

【解析】二极管的I－V特性方程为

其中，n为发射系数，其值在1～2之间，通常取1，则

5UGS＝0时，能够工作在恒流区的场效应管有（  ）和（  ）。[中山大学2017研]

A．结型管

B．增强型MOS管

C．耗尽型MOS管

【答案】A；C查看答案

【解析】N型结型管和耗尽型MOS管的开启条件为UGS＞UGSth，UGSth为负。而增强型MOS管的开启条件为UGS＞UGSth，UGSth为正。P型结型管和耗尽型MOS管的开启条件为UGS＜UGSth，UGSth为正。而增强型MOS管的开启条件为UGS＜UGSth，UGSth为负。综上，结型管和耗尽型MOS管符合题目要求。

6晶体管的共基截止频率、共射截止频率、特征频率fα、fβ、fT之间的关系是（  ）。[北京邮电大学2016研]

A．fα＞fβ＞fT

B．fα＜fβ＜fT

C．fβ＜fα＜fT

D．fβ＜fT＜fα

【答案】D查看答案

【解析】fβ表示晶体管（共射）截止频率，特征频率fT＝βfβ，共基截止频率fα＝（β＋1）fβ，β＞1，所以fβ＜fT＜fα。

7以下说法错误的是（  ）。[北京邮电大学2016研]

A．N型半导体的多子是自由电子，因此该类半导体带负电

B．PN结有内建电场，因此即使没有外加电压，也会形成电流

C．处于放大状态的晶体管，集电极的电流主要来自于发射区的多子

D．二极管一旦发生击穿，就损坏不能使用了

【答案】ABCD查看答案

【解析】A项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；B项，PN结本身就是动态平衡的产物，因此无外加电压时，其动态平衡并未打破，所以没有电流；C项，晶体管放大状态下集电极反偏，促进非平衡少子漂移运动，集电极的电流主要来自于少子而非多子；D项，反向击穿不一定损坏，如果在限流情况下，虽然击穿，但电流不大，在降压后是可逆的，二极管仍可以正常使用。

8二极管电路如图1-1-1，设二极管导通压降0.7V，则A点的电位是（  ）。[山东大学2017研]

图1-1-1

A．4.3V

B．1V

C．2.1V

【答案】B查看答案

【解析】若A点电位为4.3V，则所有二极管均导通，而0.3＋0.7V＝1V≠4.3V，所以A项矛盾，同理C项排除。

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